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胡氏动态

打破芯片制造“摩尔定律”的胡正明教授

作者:胡昌奇 日期:2023-09-17 09:50:17

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  中国科学院外籍院士、美国加州柏克莱大学教授胡正明博士

  胡正明,微电子学家,美国国籍。1947年7月出生于中国北京,1968年台湾大学电机系毕业,获学士学位。1973年获美国加州大学伯克利分校博士学位。1991-1994年任清华大学(北京)微电子学研究所荣誉教授。1997年当选为美国工程科学院院士。2007年获选中国科学院外籍院士。

  胡正明教授是微电子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要开拓者,对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。由于胡正明在全球半导体领域的杰出贡献,1994年被选入1994年美国名录,1997年,获美国电机电子工程协会颁发的LeeeJackAMorton大奖。同年,又被膺选为美国工程学院院士。1998年,经科学发展促进会推选,获“全美杰出科学家之MONIEAFERSTAWARD奖。1998年10月中国科学院微电子中心授于胡正明博士为终身名誉教授。

  胡正明教授在全球半导体领域最杰出的贡献,是他率领研究团队,1999年研制出世界上第一个鳍式场效应晶体管(FinFET),突破了芯片制造的“摩尔定律”。这项发明最大的用途就是在手机等消费电子产品上,所以说目前的所有先进半导体以及搭载它的产品,都仰赖胡正明教授的发明。

  芯片行业的摩尔定律现在很多人都有一定的了解,就是指集成电路上植入的晶体管数目,每隔两年左右便会增加一倍,难度也会随着增加。如何在尽可能小的集成电路上植入尽可能多的晶体管数量,由华裔越南科学家林本坚发明的浸润式光刻机和由美籍华人科学家胡正明教授研制出新型晶体管有效地打破了芯片制造业的“摩尔定律”,如今14nm、7nm、5nm、3nm制程的芯片上,几乎全部采用了FinFET技术。

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  2015年,胡正明教授获得了美国国家技术和创新奖,2016年,他又获得了美国国家科学奖章,由时任美国总统奥巴马亲自在白宫为他颁奖。

  胡正明博士祖籍江苏常州金坛市城西马干村。他虽身居海外,但对故乡的赤子之情与日俱增。他与父亲胡素鸿先生、弟弟胡正大博士于1997年4月在金坛市第一中学设立胡氏奖助基金,用以奖励每届高中毕业生中品学兼优、家境较差而有志升大学者,至今已举办26届,累计捐赠人民币近两百万元,受惠学子430多人。2004年,他父亲去世后,家乡人民为表彰胡老先生热爱故土、造福桑梓、捐资助学的美德,在该校为他父亲塑造了一座铜像。

  2008年8月,胡博士应有关方面邀请参加北京奥运会开幕式盛典,一到中国,他就携夫人和儿子风尘仆仆赶到金坛市第一中学主持第11届胡氏奖助金颁发仪式,并再次捐赠胡氏奖助金1万美金。面对故乡的莘莘学子,胡博士真挚表达了海外赤子对故土的深切眷恋,对人生的感悟和对科学的追求。他谆谆教诲学子们珍惜青春,充实人生,勇于探索,乐于贡献,报效祖国。”

  2022年8月29日,胡正明博士在故乡江苏省常州市金坛第一中学设立的第26届“胡氏奖助金”如期发放。

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  2018年胡正明博士参加金坛一中胡氏奖助金颁奖仪式(网络图片)

  2021年我和常州胡晓波老师前往金坛城西马干村的胡正明院士家乡,寻访到他的堂弟胡荣吉(家住马干村99号),从而了解到胡正明院士的一些家族世系情况。

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  胡正明教授的故乡江苏常州金坛市城西马干村

  胡荣吉宗亲现年71岁,年轻时曾做过瓦匠。他爷爷兄弟三人从江北(具体地址不详)过来,在金坛冯庄汪友梅(音)财主家做长工,后迁居城西马干村。胡荣吉的爷爷在兄弟仨人中排行老大(名字不详),儿子胡素和,生子四,胡荣吉为老三(仅存);胡正明的爷爷胡志高排行老二,曾经在北京航空学校就读,当年曾为蒋介石的座机驾驶员,其子胡素鸿,孙胡正明、胡正大。

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  胡晓波老师与胡正明博士的堂弟胡荣吉(右)合影

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  胡昌奇(本文作者)与胡正明博士的堂弟胡荣吉(右)合影